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一、二次電子倍增器

當離子電流<10^-15A時需要用二次電子倍增器檢測。其原理大致為：由質量分析器引入具有一定能量的離子束，轟擊多級Cu-Be電極活性表面時，可發射出大量的二次電子，在加速電壓的驅使下依次撞擊其他倍增電極片，由于撞擊和發射位置不是在同一個點，所以這些二次電子連續地倍增，并將離子流轉化為電子流，放大倍數可達10⁴~10⁸，然后再用直流測量或脈沖計數測量電子流強度。

二、通道電子倍增器

通道電子倍增器（channel electron multiplier，CEM）又稱連續打拿極電子倍增器。電子倍增管使用多個獨立的打拿極將光子轉換成電子，而通道電子倍增器釆用開放式玻璃錐管結構(表面鍍有一層半導體膜)，將撞擊在其表面的離子轉換成電子。檢測帶正電離子時，在其前端施加一負偏壓，靠近收集器的末端接地。離子通過四極桿質量分析器后，被錐體負高壓吸引，撞擊檢測器表面，釋放出一個或更多二次電子。由于錐體內不同位置具有不同電勢，二次電子在此電位梯度作用下向末端收集器運動。當電子再次碰撞新的膜層表面時，釋放出更多二次電子。多次重復后，得到單個脈沖信號，包含撞擊所產生的大量電子。

通道電子倍增器原理圖示

通道電子倍增器一個重要的缺陷是有效使用時間有限，尤其是當檢測高濃度離子束時，更為敏感。另外其保質期較短，使備用倍增器無法長時間保存。

三、不連續打拿極電子倍增器

不連續打拿極電子倍增器( discrete dynode electron multiplier)通常稱為活性膜放大器，與通道電子倍增器工作原理相似，但采用離散的打拿極(圖4.31)。通常采用離軸安裝方式，以減小雜散輻射及離子源所產生的中性粒子離子離開四極桿后，以曲線運動方式撞擊到**個打拿極上，釋放出二次電子。打拿極的電子光學設計使得二次電子加速運動至下一個打拿極，產生更多二次電子。如此反復，*終產生電子脈沖信號被放大檢測器接收。由于采用不同于通道倍增器的表面材料，且電子產生方式不同，通常比通道電子倍增器靈敏度提高了50%~100%。