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紫外-可見光分光光度計(jì)的檢測器的構(gòu)成及原理
來源:EWG1990儀器學(xué)習(xí)網(wǎng) | 作者:admin | 發(fā)布時(shí)間: 2022-11-03 | 7478 次瀏覽 | 分享到:
檢測器是將光信號轉(zhuǎn)變成電信號的光電轉(zhuǎn)換裝置,常用的檢測器有光電池、光電管、光電倍增管和光電二極管陣列檢測器(PDA)及電荷耦合陣列檢測器(CCD)等。

一、檢測器

檢測器是將光信號轉(zhuǎn)變成電信號的光電轉(zhuǎn)換裝置,常用的檢測器有光電池、光電管、光電倍增管和光電二極管陣列檢測器(PDA)及電荷耦合陣列檢測器(CCD)等。


(一)光電池

光電池是一種簡單、便宜、使用方便、不需附加電源,可直接使用的光電轉(zhuǎn)換元件,常用的光電池有硒光電池和硅光電池兩種,硒光電池光譜響應(yīng)區(qū)為400~800nm,一般峰值波長在554nm左右。我國早期生產(chǎn)的581-G光電比色計(jì)和72型分光光度計(jì)使用的是50-A型直徑為45mm的圓形硒光電池,現(xiàn)在已很少使用硒光電池。硅光電池是目前在準(zhǔn)雙光束紫外可見分光光度計(jì)上*常使用的光電池,它分為可見區(qū)使用的硅光電池和紫外-可見光區(qū)使用的硅光電池兩種,前者光譜響應(yīng)范圍為320~1100nm,峰值波長位置在960nm左右,后者光譜響應(yīng)范圍為190~1100nm,峰值波長位置和前者相同。各類光電池在不同的光照下,都有不同的光電流輸出,硅光電池的*大光電流比硒光電池的*大光電流要大100倍以上,在可見光區(qū)的靈敏度更高。光電池都有極限照度,入射光光照強(qiáng)度不應(yīng)超越極限,否則會(huì)產(chǎn)生疲勞或損壞。在使用濾光光電比色計(jì)時(shí),在裝入濾光片前,不要開亮光源,以免加速光電池疲勞。若在使用光電比色計(jì)和分光光度計(jì)時(shí)發(fā)現(xiàn)光電池產(chǎn)生的光電流很小,以致無法調(diào)節(jié)參比溶液的透射比為100%時(shí),應(yīng)讓光電池停止工作,使其疲勞恢復(fù)后再使用,如恢復(fù)不了,應(yīng)予以更換。光電池的穩(wěn)定性受制造工藝、溫度、電磁場干擾等因素的影響,光電池密封不好、溫度上升、周圍有電磁場都會(huì)使噪聲增加,因此,其工作環(huán)境要防潮、防高溫、防周圍電磁場干擾。光電池在沒有光照時(shí)也有電流輸出,稱為暗電流,光電池的暗電流一般都較大,近年來國外生產(chǎn)的某些硅光電池的暗電流很小。


通常在室內(nèi)照明條件下,光電池產(chǎn)生的光電流可達(dá)幾百微安??梢杂萌f用表檢查光電池的好壞,將萬用表正負(fù)極測電棒分別與光電池正極和負(fù)極相接,當(dāng)光電流非常微弱或沒有時(shí),光電池可能已損壞。


(二)光電管

光電管分為充氣光電管和真空光電管兩類,分光光度計(jì)中使用的都是真空光電管,因?yàn)樗墓饷舨牧系墓獍l(fā)射電子數(shù)(光電流)與發(fā)射表面(光陰極)的照度成正比,光電管的光譜響應(yīng)特性主要取決于光電池陰極材料。


光電管的極間電壓一般不宜超過40~50V,否則,光電流開始飽和,使用過高的極間電壓是沒有意義的。


光電管在工作電壓下雖無光照,也會(huì)有暗電流一般為10-9A左右,它與加到陽極和陰極之間的工作電壓有關(guān),極間電壓不要超過45V,且要求電壓穩(wěn)定。暗電流常隨環(huán)境溫度、濕度等條件變化,在操作以光電管為光電轉(zhuǎn)換器的儀器時(shí),需要經(jīng)常校對零點(diǎn),以消除暗電流的影響。


用光電管作光電轉(zhuǎn)換器時(shí)需要幾兆歐姆至幾千兆歐姆的高電阻作它的負(fù)載電阻,以便在負(fù)載電阻上取得電壓降作為原始信號輸給放大器進(jìn)行放大。因此,光電管的極間和連接導(dǎo)線的絕緣和屏蔽很重要,在拆裝光電管暗盒、更換和調(diào)節(jié)內(nèi)部元件時(shí),切忌用臟工具或手去撥弄高電阻絕緣部分。


(三)光電倍增管

光電倍增管是外光電效應(yīng)和多級二次發(fā)射體相結(jié)合的一種光電轉(zhuǎn)換器件,在紫外和可見光區(qū)具有非常高的靈敏度,常用于雙光束紫外-可見分光光度計(jì)的檢測器,特別在中高檔紫外-可見分光光度計(jì)中使用*多。


光電倍增管的**陰極光譜響應(yīng)特性是十分重要的,它決定了光電倍增管的使用范圍和分光光度計(jì)的整機(jī)靈敏度。根據(jù)在相同條件下測得的不同光電倍增管的**陰極光譜響應(yīng)特性,可以來比較其相對靈敏度、響應(yīng)峰值波長位置、長波和短波的響應(yīng)極限等,以便對光電倍增管作出挑選。放大倍數(shù)是光電倍增管的重要指標(biāo)**一般光電倍增管的放大倍數(shù)為105~107,放大倍數(shù)與它的工作直流高壓有關(guān),所加的高壓越高,放大倍數(shù)越大。為了獲得穩(wěn)定的放大倍數(shù),要求所用的直流高壓電源十分穩(wěn)定。光電倍增管產(chǎn)生的光電流可用微安表直接讀取,也可將光電流通過負(fù)載電阻產(chǎn)生電壓降信號,然后加以放大并測量。


光電倍增管的響應(yīng)時(shí)間很短,以檢測10-8~10-9s級的脈沖光。光電倍增管的極限靈敏度受暗電流的限制,一般暗電流在10-7~1010A。這與工作時(shí)的溫度有關(guān),可以采取制冷的方法來降低暗電流。


光電倍增管的穩(wěn)定性受所加直流工作電壓的穩(wěn)定性、光陰極和二次發(fā)射極的疲勞、陰極電流變化的滯后效應(yīng)等因素的影響。紫外-可見分光光度計(jì)在常規(guī)使用中,直流工作電壓為600V左右,放大倍數(shù)約為50萬倍,此時(shí)要求高壓電源的電壓調(diào)整率在0.05%以下。光電倍增管的光陰極在強(qiáng)光照射下容易疲勞,使其靈敏度下降,**在強(qiáng)光照射下,光陰極會(huì)產(chǎn)生不可逆疲勞,即為老化,使光電倍增管的輸出產(chǎn)生漂移,這是影響測量重復(fù)性的重要因素。另外,此時(shí)陰極電流太大,管子容易損壞,陰極電流保持在10μA以下,*大不要超過1mA當(dāng)電源電壓發(fā)生變化時(shí),陰極電流變化有滯后效應(yīng)。當(dāng)使用光電倍增管的倍增電極采用高壓負(fù)反饋的紫外-可見分光光度計(jì)時(shí),這種滯后現(xiàn)象更為明顯,要引起重視。光電倍增管必須安裝于暗盒內(nèi),屏蔽雜散光。


(四)光電二極管陣列檢測器(PDA)

PDA是一種在晶體硅上緊密排列一系列光電二極管的檢測器,每個(gè)二極管能同時(shí)分別接收一定波長間隔的光信號,二極管輸出的電信號強(qiáng)度與光強(qiáng)度成正比。PDA的顯著特點(diǎn)是能進(jìn)行快速光譜采集,例如,一個(gè)在190~820nm波長范圍內(nèi)由316個(gè)二極管組成的光電二極管陣列檢測器,若每個(gè)二極管在1/10s內(nèi)每隔2nm測一次,并采用同時(shí)并行數(shù)據(jù)采集方法,就可在10s內(nèi)得到一張190~820nm波長范圍內(nèi)的光譜。而一般的分光光度計(jì)若每隔2nm測一次,每次需時(shí)1s,要得到相同范圍的光譜需時(shí)5min。


(五)電荷耦合陣列檢測器(CCD)

電荷耦合陣列檢測器CCD(charge coupled device)是一類以半導(dǎo)體硅片為基材的集成電路式光電探測器,發(fā)明于20世紀(jì)70年代初期。和其他類似的光電效應(yīng)探測器一樣,CCD運(yùn)用的是經(jīng)典光電效應(yīng)原理。作為CCD探測器的基本元件,半導(dǎo)體硅芯片受到可見光照射時(shí),由光電效應(yīng)在芯片上產(chǎn)生電荷。在硅片表面上施加一定的電勢,使它產(chǎn)生儲(chǔ)存電荷的分立勢阱。這些勢阱構(gòu)成探測器微元,可以收集光電效應(yīng)產(chǎn)生的電荷,并攜帶電荷在芯片上移動(dòng)。勢阱本身由電極確定,一般三個(gè)電極決定一個(gè)勢阱。


一個(gè)CCD芯片包含幾萬到幾百萬個(gè)微元,構(gòu)成一個(gè)平面探測陣列。根據(jù)應(yīng)用需要,可將位于同一行或同一列上的微元串聯(lián),同一行或同一列上收集到的電荷可一起輸送到輸出端。一行微元上的電荷輸出可按順序進(jìn)行。再由裝在芯片角上的輸出放大器將信號送往外接的微計(jì)算機(jī)處理。事實(shí)上,CCD的基本元件是一片將光電效應(yīng)和集成電路、放大器一體化的半導(dǎo)體集成塊。CCD具有極高的光電效應(yīng)量子效率,它的電荷轉(zhuǎn)移效率幾乎達(dá)100%,器件量子效率超過90%;CCD在低溫下工作時(shí)幾乎無暗電流,冷卻到150K的CCD其暗電流小于每秒每微元0.001個(gè)電子計(jì)數(shù);此外它的噪聲幾乎接近于零;CCD的平面陣列結(jié)構(gòu)使其具有天然的多道同時(shí)分析的優(yōu)點(diǎn)。以上特點(diǎn)使CCD的靈敏度超過其他傳統(tǒng)的光電探測器,如光電倍增管和光電增強(qiáng)二極管陣列多道探測器。單個(gè)探測微元的靈敏度比光電倍增管還高5倍。CCD總的探測速度比掃描式光電倍增管高幾百倍到上千倍。


此外,CCD還具有:①波長響應(yīng)區(qū)域?qū)?,?00~1100nm寬的光譜區(qū)域,CCD都有極高的光電效應(yīng)量子效率;②異常寬的動(dòng)態(tài)響應(yīng)范圍和理想的響應(yīng)線性;③幾何尺寸穩(wěn)定,耐過度曝光等優(yōu)點(diǎn)。因此,CCD已成為光譜分析儀器的理想探測器。

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